<button id="3ny0o"></button><form id="3ny0o"></form>
      1. <sub id="3ny0o"></sub>
            當前位置 >>  首頁 >> 綜合信息 >> 頭條新聞

          頭條新聞

          微電子所在905nm多有源區級聯VCSEL研究方面取得新進展

          稿件來源:高頻高壓中心 韓超 潘冠中 發布時間:2021-09-06

            近日,微電子所高頻高壓中心吳德馨院士團隊在905nm多有源區級聯垂直腔面發射激光器(VCSEL)研究方面取得新進展,成功研發出高性能905nm雙有源區級聯VCSEL器件,斜率效率達到2.27W/A,微分量子效率為164%,功率密度為257W/mm2 10mA電流下),相當于傳統單有源區VCSEL的兩倍(見圖1a);功率轉換效率達到52.4%,比傳統單有源區VCSEL提高了16.4%(見圖1b)。這種高效率、高功率密度多有源區級聯VCSEL器件可為中短距離激光雷達提供高性能的光源。 

            近年來, VCSEL正迅速從數據通信領域滲透到消費電子領域和汽車應用領域,這些應用領域要求VCSEL需具有高功率和高轉換效率,以提高系統的信噪比,同時降低系統功耗。目前,增加輸出功率最常用的方法是增大VCSEL的出光孔徑(如圖2a所示),或將多個VCSEL單元集成到一個二維陣列中。但這兩種方法均會增大VCSEL器件的發光面積,不僅會降低功率密度,還會給光學準直帶來困難。 

            為解決上述問題,團隊利用隧道結載流子再生效應,在VCSEL外延結構上縱向集成多個有源區(器件結構如圖2b所示)。通過精準、嚴格設計重摻雜的隧道結、有源區量子阱、氧化層的位置, 使VCSEL器件的微分量子效率和光功率密度獲得較大幅度提高。  

            基于本研究成果的論文“High Slope Efficiency Bipolar Cascade 905nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser”發表在國際微電子器件領域的權威期刊《IEEE Electron Device Letters》上(DOI: 10.1109/LED.2021.3098899)。微電子所高頻高壓中心潘冠中為該文章的第一作者,荀孟為該文章的通訊作者。   

            論文鏈接:https://ieeexplore.ieee.org/document/9492046 


          1團隊研制的隧道級聯雙有源區VCSEL與傳統VCSEL的(aL-I-Vb)功率轉換效率對比

                     

          2 a)傳統單有源區VCSEL結構. b)本論文設計的隧道級聯雙有源區VCSEL結構

          附件:
          被窝影院午夜看片爽爽软件 一本大道看香蕉大在线| 1024cc香蕉在线观看视频| 黑人欧美日韩专区在线| 日本高一区二区免费| 久久频这里精品不卡| 偷自视频区视频厕所| 欧美熟妇乱子伦XX视频| 亚洲色欧美色2021在线| adc自拍亚洲欧美影院| 暖暖视频在线观看免费 视频|